Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SIHW73N60E-GE3 +BOM

MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SIHW73N60E-GE3
Datenblatt:

SIHW73N60E-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SIHW73N60E-GE3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SIHW73N60E-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	73 A	Rds On - Drain-Source Resistance	39 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	241 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	520 W
Channel Mode	Enhancement	Series	E
Configuration	Single	Fall Time	120 ns
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	105 ns
Factory Pack Quantity	480	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	290 ns	Typical Turn-On Delay Time	63 ns
Width	5.31 mm	Unit Weight	0.211644 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..