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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SLA4070 +BOM

Power Module Transistor with Independent Bipolar Junction

Hersteller:

Allegro Microsystems
Herstellerteil #:

SLA4070
Datenblatt:

SLA4070 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542330001
Automotive:

No
PPAP:

No
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SLA4070 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP Darlington (Quad) 100V 5A 5W Through Hole 12-SIP

Hauptmerkmale

Easy-to-use interface for effortless navigation
Multimedia support for various file formats
Wireless connectivity for hassle-free sharing

Anwendung

3D printing

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
HTS	8542330001	Automotive	No
PPAP	No	Type	PNP
Configuration	Quad	Number of Elements per Chip	4
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	100	Maximum Collector Base Voltage (V)	100
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6	Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	2@6mA@3A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)	5	Maximum Collector Cut-Off Current (uA)	10
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	1.5@6mA@3A	Minimum DC Current Gain	1000@3000mA
Maximum Power Dissipation (mW)	5000	Minimum Operating Temperature (°C)	-40
Maximum Operating Temperature (°C)	150	Mounting	Through Hole
PCB changed	12	Tab	Tab
Pin Count	12	Lead Shape	Through Hole

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