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Siehe Technische Spezifikationen

SSM3J16FU +BOM

Designed for ruggedized operation with a high temperature range and electromagnetic immunit

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

SSM3J16FU
Datenblatt:

SSM3J16FU Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

100mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SSM3J16FU

Hauptmerkmale

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
8.0
Ω
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
12
Ω
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
45
Ω
Input capacitance (Typ.)
C
iss
11
pF

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11 pF @ 3 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)	Operating Temperature	150°C
Mounting Type	Surface Mount	Product Category	MOSFET
Qualification	AEC-Q101	Tradename	MOSVI
Product Type	MOSFET	Subcategory	MOSFETs

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