Bezahlverfahren
SSM6K781G +BOM
Reel-packaged 6-Pin WCSP6C MOSFET for N-Channel applications
WCSP6C-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
SSM6K781G
-
Datenblatt:
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Series:
U-MOSVII-H
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
12 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 6271 Stck
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SSM6K781G Allgemeine Beschreibung
SSM6K781G is a type of electronic component known as a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Hauptmerkmale
- Drain-Source Voltage (Vdss) of 60V
- Continuous Drain Current (Id) of 3.5A
- Low On-Resistance (Rds(on)) of 63 mΩ
- Fast switching speed
- Small and compact package size (SOT-23-6)
Anwendung
- Power management in portable devices such as smartphones, tablets, and laptops.
- Battery protection circuits
- DC-DC converters
- Motor control circuits
- LED lighting circuits
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Series | U-MOSVII-H |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 6 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SSM6K781 | Product Category | MOSFET |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Configuration | Single |
Height | 0.5 mm | Length | 1.5 mm |
Product Type | MOSFET | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Width | 1 mm |
Unit Weight | 0.000049 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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SSM6K781G Datenblatt PDF
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Minimum Order: 1
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