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Siehe Technische Spezifikationen

SSM6K810R +BOM

Transistor MOSFET N-Channel 100V 3.5A 6-Pin TSOP6F

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

SSM6K810R
Datenblatt:

SSM6K810R Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Tradename:

U-MOSVIII-H
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SSM6K810R

Hauptmerkmale

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
2.5
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
92
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
69
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
430
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
3.2
nC

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Tradename:	U-MOSVIII-H	Configuration:	Single
Product Type:	MOSFET	Subcategory:	MOSFETs

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