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STA303A +BOM

ROHS Compliant SIP-8 Darlington Transistors

STA303A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN Darlington (Emitter Coupled) 100V 4A 3W Through Hole 8-SIP

Spezifikationen

Transistor Type 3 NPN Darlington (Emitter Coupled) Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 10mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 4V
Power - Max 3W Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Base Product Number STA303

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