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Siehe Technische Spezifikationen

STE26NA90 +BOM

Power FET, Single N-Channel, Silicon Metal-oxide Semiconductor, 26A Drain Current, 900V Voltage, 0.3ohm RDS(on)

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STE26NA90
Datenblatt:

STE26NA90 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

26A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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STE26NA90 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 900 V 26A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.75V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	660 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1770 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	450W (Tc)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	STE26

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