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Siehe Technische Spezifikationen

STE50DE100 +BOM

Bipolar Transistors - BJT POWER MOSFET

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STE50DE100
Datenblatt:

STE50DE100 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Emitter Switched Bipolar
Current - Collector (Ic) (Max):

50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1000 V
Power - Max:

400 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STE50DE100

STE50DE100 Allgemeine Beschreibung

Transistor NPN - Emitter Switched Bipolar 1000V (1kV) 50A Chassis Mount ISOTOP®

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Emitter Switched Bipolar	Current - Collector (Ic) (Max)	50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1000 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	-
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Power - Max	400 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	STE50	Product Category:	Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style:	Through Hole	Transistor Polarity:	NPN
Pd - Power Dissipation:	160 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	STE50DE100
Packaging:	Tube	DC Collector/Base Gain hfe Min:	3
DC Current Gain hFE Max:	13	Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity:	10	Subcategory:	Transistors
Technology:	Si

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