Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

STGW30NC60KD +BOM

IGBT N-Channel 30A 600V TO-247

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STGW30NC60KD
Datenblatt:

STGW30NC60KD Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
Temperature (°C) Min:

-55
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STGW30NC60KD

STGW30NC60KD Allgemeine Beschreibung

Featuring a collector emitter saturation voltage of 2.1V and a collector emitter voltage of 600V, the STGW30NC60KD IGBT offers a high level of performance and efficiency. With a DC collector current of 60A and a power dissipation of 200W, this transistor is capable of handling demanding power requirements with ease. The TO-247 transistor case style ensures easy installation and secure mounting, while the RoHS compliance confirms its adherence to environmental regulations. Trust in STMicroelectronics for a quality product that meets your electronic component needs

Hauptmerkmale

Compact package design
Superior thermal management
Flexible application flexibility
No noise pollution

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-55	Temperature (°C) max	150

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..