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Siehe Technische Spezifikationen

STF28NM50N +BOM

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STF28NM50N
Datenblatt:

STF28NM50N Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STF28NM50N

STF28NM50N Allgemeine Beschreibung

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Hauptmerkmale

100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

Servicerichtlinien und andere

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