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Siehe Technische Spezifikationen

STGB6NC60HDT4 +BOM

IGBT 600 V 15 A 56 W Surface Mount D2PAK

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STGB6NC60HDT4
Datenblatt:

STGB6NC60HDT4 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tape and Reel
Temperature (°C) min:

-55
EDA/CAD Modelle:

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STGB6NC60HDT4 Allgemeine Beschreibung

IGBT 600 V 15 A 56 W Surface Mount D2PAK

Hauptmerkmale

Low V_CE(sat)
Low C_RES/C_IES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
High-frequency operation

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tape and Reel
Temperature (°C) min	-55	Temperature (°C) max	150
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	15 A
Pd - Power Dissipation	62.5 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	STGB6NC60HDT4
Continuous Collector Current	12 A	Continuous Collector Current Ic Max	15 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	4.6 mm
Length	10.4 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	IGBTs
Width	9.35 mm	Unit Weight	0.079014 oz

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