Bezahlverfahren
STL128DN
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 60 W Through Hole TO-220
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Hersteller:
STMicroelectronics
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Herstellerteil #:
STL128DN
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
4 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
400 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1V @ 400mA, 2A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7716 Stck
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STL128DN Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 60 W Through Hole TO-220
Spezifikationen
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 2A | Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 10mA, 5V | Power - Max | 60 W |
Frequency - Transition | - | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | STL128 |
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Verfügbarkeit: 7716 PCS
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