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Siehe Technische Spezifikationen

STP76NF75 +BOM

N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STP76NF75
Datenblatt:

STP76NF75 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

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STP76NF75 Allgemeine Beschreibung

STMicroelectronics has introduced the STP76NF75 Power MOSFET, showcasing their expertise in semiconductor technology. Utilizing a single feature size strip-based process, this transistor boasts exceptional packing density and low on-resistance. Its rugged avalanche characteristics and simplified alignment steps contribute to remarkable manufacturing reproducibility, setting a new standard in the industry

Hauptmerkmale

Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Id - Continuous Drain Current	80 A	Rds On - Drain-Source Resistance	11 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	160 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	300 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	STripFET	Series	STP76NF75
Configuration	Single	Fall Time	30 ns
Height	9.15 mm	Length	10.4 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	100 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	66 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Width	4.6 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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