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STW26NM60 +BOM

N-Channel 600 V 30A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

STW26NM60 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 30A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

Spezifikationen

Source Content uid STW26NM60 Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count 3 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 740 mJ
Case Connection ISOLATED Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V Drain Current-Max (ID) 30 A
Drain-source On Resistance-Max 0.135 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 240 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

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