Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SUM110P04-05-E3 +BOM

MOSFET capable of handling 375W of power at 40V

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SUM110P04-05-E3
Datenblatt:

SUM110P04-05-E3 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SUM110P04-05-E3

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SUM110P04-05-E3 Allgemeine Beschreibung

Whether used in automotive, industrial, or power supply applications, the SUM110P04-05-E3 offers exceptional performance and reliability. Its low on-resistance and high current capability make it an ideal choice for switching and power management tasks. With careful attention to thermal management, this MOSFET can provide long-term, trouble-free operation in demanding scenarios

Hauptmerkmale

This P-channel MOSFET has a voltage rating of -40V with a maximum drain current of 110A
Low on-resistance and compact TO-263 package enhance thermal performance
Designed for efficient power management in high-current applications

Anwendung

Optimal power handling
Reliable power management
Multipurpose power MOSFET

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	110 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	185 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	375 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SUM
Configuration	Single	Fall Time	35 ns
Forward Transconductance - Min	75 S	Height	4.83 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	290 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	110 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	9.65 mm	Unit Weight	0.139332 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..