Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TGF2978-SM +BOM

High-power RF JFET Transistors capable of 20W output power with 50% efficiency

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

TGF2978-SM
Datenblatt:

TGF2978-SM Datenblatt (PDF)
Shipping Restrictions:

This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN-on-SiC
Operating Frequency:

DC to 12 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TGF2978-SM

Hauptmerkmale

Frequency: DC to 3.5 GHz
Output Power (P3dB): 107 W at 3.5 GHz
Linear Gain:> 14 dB at 3.5 GHz
Typical PAE:> 50% at 3.5 GHz
Operating Voltage: 28 V
Low thermal resistance package

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Shipping Restrictions	This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type	HEMT	Technology	GaN-on-SiC
Operating Frequency	DC to 12 GHz	Gain	11 dB
Transistor Polarity	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	32 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 2.7 V	Id - Continuous Drain Current	1.3 A
Output Power	19 W	Maximum Operating Temperature	+ 225 C
Pd - Power Dissipation	33 W	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Development Kit	TGF2978-SMEVB1
Height	0.203 mm	Length	4 mm
Moisture Sensitive	Yes	Number of Channels	1 Channel
Product Type	RF JFET Transistors	Series	TGF2978
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Type	GaN SiC HEMT	Width	3 mm
Part # Aliases	TGF2978 1127373	Unit Weight	0.004339 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..