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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TIP137 +BOM

Darlington Complementary Silicon Power Transistor

Hersteller:

Multicomp Pro
Herstellerteil #:

TIP137
Datenblatt:

TIP137 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TIP137

TIP137 Allgemeine Beschreibung

The TIP132 is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration, mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications.The complementary PNP type is TIP137.Also TIP135 is a PNP type.

Hauptmerkmale

High DC Current Gain. hfe=2500 Typ at Ic=4.0 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage at 30 mAdc: 80 Vdc Min TIP131 & 100 Vdc Min TIP132, TIP137
Low Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.0 Vdc Max at Ic=4.0 Adc & 3.0 Vdc Max at Ic=6.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors.
T0-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

Servicerichtlinien und andere

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