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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TIP112G +BOM

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

TIP112G
Datenblatt:

TIP112G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

2.5V @ 8mA, 2A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TIP112G

TIP112G Allgemeine Beschreibung

Look no further for a transistor that can meet your requirements for general purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP112G Darlington Bipolar Power Transistor is designed to deliver the performance and versatility you need, making it a reliable choice for a variety of circuit designs. With complementary devices like the TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP), you have the flexibility to create the ideal solution for your specific needs

Hauptmerkmale

Economical Design, Cost-Effective Solution
Durable Materials, Long-Term Reliability
Safe and Secure, Overcurrent Protection
Low Power Consumption, Energy Efficiency

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	2mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 1A, 4V
Power - Max	2 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	TIP112

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