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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TIP121G +BOM

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

TIP121G
Datenblatt:

TIP121G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TIP121G

TIP121G Allgemeine Beschreibung

The TIP121G is an NPN transistor designed for applications with a collector-emitter voltage (V(BR)CEO) of 80V and a DC collector current of 5A. Its power dissipation (PD) rating of 65W makes it suitable for high-power electronic circuits, and its through-hole mounting allows for easy installation. With 3 pins for connection and RoHS compliance, the TIP121G meets modern environmental regulations. Additionally, it features a high DC current gain (HFE) of 1000HFE, providing consistent and reliable amplification for various circuit designs

Hauptmerkmale

Compact TO-220 Package Saves Space
Low Power Consumption Ideal
Reliable Performance in Harsh Environments

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

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