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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM2323CX +BOM

TSM2323CX P-channel MOSFET

Hersteller:

taiwan semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2323CX
Datenblatt:

TSM2323CX Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM2323CX

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Compatible with Automatic Placement Equipment
Packaged in 12.0mm Tape on 7” Diameter Reels
Surface Mount LED Lamp
Long Life Solid State Reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	4.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	31 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	12.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	48 ns	Forward Transconductance - Min	16 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	43 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	71 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..