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Siehe Technische Spezifikationen

UF3C120400B7S +BOM

N-Channel 1200 V 7.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

UF3C120400B7S
Datenblatt:

UF3C120400B7S Datenblatt (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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UF3C120400B7S Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1200 V 7.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current	5.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	6 V
Qg - Gate Charge	22.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	100 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs

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