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Siehe Technische Spezifikationen

UPA2660T1R-E2-AX +BOM

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation
Herstellerteil #:

UPA2660T1R-E2-AX
Datenblatt:

UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V

UPA2660T1R-E2-AX Allgemeine Beschreibung

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Hauptmerkmale

DS MAXIMUM RATINGS 20V(T_A = 25°C)
2.5V drive available
Low on-state resistance
R_DS(on)1 = 42 mΩ MAX. (V_GS = 4.5 V, I_D = 2.0 A)
R_DS(on)2 = 62 mΩ MAX. (V_GS = 2.5 V, I_D = 2.0 A)
Built-in gate protection diode
Lead-free and Halogen-free

Spezifikationen

Series	-	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62mOhm @ 2A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 10V
Power - Max	2.3W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	UPA2660

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