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Siehe Technische Spezifikationen

UPA2670T1R-E2-AX +BOM

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation
Herstellerteil #:

UPA2670T1R-E2-AX
Datenblatt:

UPA2670T1R-E2-AX Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V

UPA2670T1R-E2-AX Allgemeine Beschreibung

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Hauptmerkmale

–1.8V drive available

Low on-state resistance
R_DS(on)1 = 79 mΩ MAX. (V_GS = –4.5 V, I_D = –1.5 A)
R_DS(on)2 = 105 mΩ MAX. (V_GS = –2.5 V, I_D = –1.5 A)
R_DS(on)3 = 182 mΩ MAX. (V_GS = –1.8 V, I_D = –1.5 A)

Built-in gate protection diode

Lead-free and Halogen-free

Spezifikationen

Series	-	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 P-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	79mOhm @ 1.5A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	473pF @ 10V
Power - Max	2.3W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	UPA2670

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