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UPA802T-A +BOM

RF Transistor 2 NPN (Dual) 10V 65mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-363

Hersteller:

CEL
Herstellerteil #:

UPA802T-A
Datenblatt:

UPA802T-A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

10V
Frequency - Transition:

7GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

1.4dB @ 1GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UPA802T-A

UPA802T-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor 2 NPN (Dual) 10V 65mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-363

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V	Frequency - Transition	7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.4dB @ 1GHz	Gain	12dB
Power - Max	200mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 7mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)	65mA	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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