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Siehe Technische Spezifikationen

ZDT6753TA +BOM

General-Purpose Bipolar Junction Transistor, NPN/PNP, 100V, 2A, 2750mW, 8-Pin SM8 Package, Tape and Reel

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZDT6753TA
Datenblatt:

ZDT6753TA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 200mA, 2A
EDA/CAD Modelle:

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ZDT6753TA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V 2A 175MHz, 140MHz 2.75W Surface Mount SM8

Hauptmerkmale

NPN Transistor
▪ BVCEO> 100
▪ IC = 2A High Continuous Current
▪ Low Saturation Voltage VCE(sat) <300mV @ 1A
PNP Transistor
▪ BVCEO> -100V
▪ IC = -2A High Continuous Current
▪ Low Saturation Voltage VCE(sat) <-300mV @ -1A
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Transistor Type	NPN, PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 2V
Power - Max	2.75W	Frequency - Transition	175MHz, 140MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZDT6753

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