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Siehe Technische Spezifikationen

BC337 +BOM

45V 625mW 100@100mA,1V 800mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BC337
Datenblatt:

BC337 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

BC337 Allgemeine Beschreibung

Designed for ease of use, the BC337 transistor is a popular choice among electronics enthusiasts and professionals alike. Its TO-92 package ensures easy installation and compatibility with various circuit layouts. Whether you're building a simple amplifier or a sophisticated switching circuit, the BC337 transistor has you covered

Hauptmerkmale

These are PbFree Devices

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	700 mV
Maximum DC Collector Current	800 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	210 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	100	DC Current Gain hFE Max	630
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.007055 oz

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