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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 700 mA 100MHz 5 W Through Hole TO-39
TO-39Hersteller:
Herstellerteil #:
2N3053 PBFREE
Datenblatt:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
40 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 700 mA 100MHz 5 W Through Hole TO-39
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.4 V |
Maximum DC Collector Current | 700 mA | Pd - Power Dissipation | 5 W |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Continuous Collector Current | 700 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 | DC Current Gain hFE Max | 250 |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 500 |
Subcategory | Transistors | Unit Weight | 0.032805 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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1000+ $3,069
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