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Siehe Technische Spezifikationen

2N3762 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1.5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hersteller:

MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

2N3762
Datenblatt:

2N3762 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

0.0015 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3762 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1.5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hauptmerkmale

General-purpose transistor for switching and amplifier applicatons.
Housed in a TO-39 case.
Also available in chip form using the 6706 chip geometry.
The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/396 which Semicoa meets in all cases.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	0.0015 A	Collector-Emitter Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	30
JEDEC-95 Code	TO-205AD	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	1 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	180 MHz
Turn-off Time-Max (toff)	43 ns	Turn-on Time-Max (ton)	115 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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