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Siehe Technische Spezifikationen

2N4124 +BOM

25V 625mW 120@2mA,1V 200mA NPN TO-92(TO-226) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N4124
Datenblatt:

2N4124 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

25 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4124

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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2N4124 Allgemeine Beschreibung

Whether you're designing a new electronic circuit or replacing a transistor in an existing system, the 2N4124 offers reliable performance and efficiency. Its NPN configuration allows for easy integration into various circuit designs, and its robust construction ensures long-lasting stability

Hauptmerkmale

Pb-Free Packages are Available

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	120	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm

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