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Siehe Technische Spezifikationen

2N4235 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 1 W Through Hole TO-39

Hersteller:

Solid State Inc.
Herstellerteil #:

2N4235
Datenblatt:

2N4235 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4235

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N4235 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 1 W Through Hole TO-39

Hauptmerkmale

Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
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Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	1 A
Collector-Base Capacitance-Max	100 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	60 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	20
JEDEC-95 Code	TO-205AD	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Operating Temperature-Min	-65 °C	Polarity/Channel Type	PNP
Power Dissipation Ambient-Max	1 W	Power Dissipation-Max (Abs)	6 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	VCEsat-Max	0.6 V

Servicerichtlinien und andere

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