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Siehe Technische Spezifikationen

2N4403 PBFREE +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

Central Semiconductor
Herstellerteil #:

2N4403 PBFREE
Datenblatt:

2N4403 PBFREE Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4403 PBFREE

2N4403 PBFREE Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	750 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	200 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	100	DC Current Gain hFE Max	300
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.015873 oz

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