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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6125 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NTE ELECTRONICS INC
Herstellerteil #:

2N6125
Datenblatt:

2N6125 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

4 A
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2N6125 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 2.5MHz 40 W Through Hole TO-220

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	4 A	Collector-Emitter Voltage-Max	60 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	10
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	2.5 MHz

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