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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6487G +BOM

15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

2N6487G
Datenblatt:

2N6487G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

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2N6487G Allgemeine Beschreibung

The 2N6487G is a complementary silicon power transistor that combines high performance with ease of use. Its maximum current rating of 15A makes it suitable for demanding applications, while its breakdown voltage of 60V ensures reliable operation under high voltages. The TO-220AB package allows for efficient heat dissipation, keeping the transistor cool even under heavy loads. With its NPN configuration, this transistor can be easily paired with complementary PNP transistors to create push-pull configurations for amplifiers and other applications

Hauptmerkmale

DC Current Gain Specified to 15 Amperes-- h_FE = 20-150 @ I_C = 5.0 Adc; h_FE= 5.0 (Min) @ I_C = 15 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage--V_CEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6487, 2N6490; V_CEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6488, 2N6491
High Current Gain--Bandwidth Product
f_T = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
TO-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available

Anwendung

Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications.

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

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