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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002DW +BOM

High-performance dual MOSFET

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

2N7002DW
Datenblatt:

2N7002DW Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

1.2 A
VGS(th) Max:

2.5 V
VGS(th) Min:

1.5 V
RthJA Max:

250.0 K/W
EDA/CAD Modelle:

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2N7002DW Allgemeine Beschreibung

When it comes to quality and performance, Infineon technologies sets the standard with the 2N7002DW MOSFET. A perfect choice for automotive and industrial applications, this product delivers exceptional reliability and durability. With a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs, Infineon technologies offers manufacturers the flexibility they need to meet the demands of their customers. Whether it's for LED Lighting, ADAS, body control units, SMPS, or Motor Control, the 2N7002DW is the ideal choice for high-quality, high-performance applications

Hauptmerkmale

Fast Acting Thyristor
High Current Capability
Low Volumetric Efficiency
Pulse Width Modulation
Rapid Temperature Response
Soft Start Functionality

Anwendung

DC-DC converters
Signal amplification

Spezifikationen

IDpuls max	1.2 A	VGS(th) max	2.5 V
VGS(th) min	1.5 V	RthJA max	250.0 K/W
Ptot max	0.5 W	VDS max	60.0 V
RDS (on) max	3000.0 mΩ	ID max	0.3 A
Operating Temperature min	-55.0 °C	Operating Temperature max	150.0 °C
Polarity	N+N	Special Features	Dual

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