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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002KT1G +BOM

Compact N-channel MOSFET engineered for small-scale signal operations

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N7002KT1G
Datenblatt:

2N7002KT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

318-08
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002KT1G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N7002KT1G Allgemeine Beschreibung

The 2N7002KT1G by Onsemi is an N Channel Mosfet that boasts a drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 380mA, making it suitable for a wide range of electronic applications. Its surface mount design allows for easy integration into circuit designs, while its RoHS compliance ensures environmental friendliness. With an Rds(On) test voltage of 10V and power dissipation of 420mW, this Mosfet delivers efficient power performance. Additionally, the full reel packaging option provides convenience for high-volume production needs

Hauptmerkmale

Compact Design
Eco-Friendly Materials
Precise Voltage Control
Robust Construction
Fault-Tolerant Architecture
Simplified Installation Process

Anwendung

Lighting Control Systems
Switching Regulator Designs
RFID Reader Modules

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	318-08	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	N
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	60	VGS Max (V)	20
VGS(th) Max (V)	2.3	ID Max (A)	0.38
PD Max (W)	0.42	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	2500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	1600	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	0.7
Ciss Typ (pF)	24.5	Pricing ($/Unit)	$0.0217Sample

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