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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002LT1G +BOM

Small-Signal FET with N-Type Channel, TO-236 Package, 60V Voltage Rating

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N7002LT1G
Datenblatt:

2N7002LT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

318-08
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002LT1G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N7002LT1G Allgemeine Beschreibung

- The 2N7002LT1G Mosfet is a versatile electronic component that is designed for N-channel applications. With a drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this Mosfet is capable of handling moderate power loads with ease. Its surface mount design makes it easy to integrate into a variety of circuit configurations, making it suitable for a wide range of electronic devices

Hauptmerkmale

Fast Design Cycle Time
Interchangeable with Other Devices
Real-Time Monitoring Capabilities
Precise Timing and Synchronization
Ergonomic User Interface
In-System Programming Available

Anwendung

Smartphone compatibility
Energy-saving solution
Optimal power management

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	318-08	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	N
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	60	VGS Max (V)	±20
VGS(th) Max (V)	2.5	ID Max (A)	0.115
PD Max (W)	0.225	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	7500	Ciss Typ (pF)	50
Pricing ($/Unit)	$0.0269Sample

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