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Siehe Technische Spezifikationen

2N708 PBFREE +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 400MHz Through Hole TO-18

Hersteller:

Central Semiconductor
Herstellerteil #:

2N708 PBFREE
Datenblatt:

2N708 PBFREE Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

15 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N708 PBFREE

2N708 PBFREE Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 400MHz Through Hole TO-18

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	15 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	50 mA	Pd - Power Dissipation	360 mW
Gain Bandwidth Product fT	400 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.011020 oz

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