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Siehe Technische Spezifikationen

2SA1483-Y(TE12L,F) +BOM

PW-MINI Power Transistor, BJT Type with Pb-Free Composition, MOQ of 1000, Rated for 45V Voltage, Capable of Frequencies up to 200MHz

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SA1483-Y(TE12L,F)
Datenblatt:

2SA1483-Y(TE12L,F) Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V

2SA1483-Y(TE12L,F) Allgemeine Beschreibung

RF Transistor PNP 45V 200mA 200MHz Surface Mount PW-MINI

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Gain Bandwidth Product fT	200 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2SA	Continuous Collector Current	- 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	DC Current Gain hFE Max	200
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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