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Siehe Technische Spezifikationen

2SC5086-O,LF +BOM

High-quality bipolar transistor for demanding application

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SC5086-O,LF
Datenblatt:

2SC5086-O,LF Datenblatt (PDF)
Series:

2SC5086
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

80

2SC5086-O,LF Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 100mW Surface Mount SSM

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Series	2SC5086
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
DC Collector/Base Gain hfe Min	80	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	12 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Configuration	Single
Mounting Style	SMD/SMT	Collector- Base Voltage VCBO	20 V
DC Current Gain hFE Max	240 at 20 mA at 10 V	Gain Bandwidth Product fT	7 GHz
Maximum DC Collector Current	80 mA	Pd - Power Dissipation	100 mW
Product Type	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.000085 oz

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