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Siehe Technische Spezifikationen

2SK4037(TE12L,Q) +BOM

Utilizing N-channel architecture, this transistor excels at delivering high current while maintaining efficient energy conversio

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SK4037(TE12L,Q)
Datenblatt:

2SK4037(TE12L,Q) Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

12 V

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen 2SK4037(TE12L,Q)-Treiber von Toshiba an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung 2SK4037(TE12L,Q).

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V	Rds On - Drain-Source Resistance	-
Operating Frequency	470 MHz	Gain	11.5 dB
Output Power	36.5 dBm	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Pd - Power Dissipation	20 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Series	2SK4037
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	3 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Unit Weight	0.002822 oz

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