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Siehe Technische Spezifikationen

2SC3837KT146N +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

2SC3837KT146N
Datenblatt:

2SC3837KT146N Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SC3837KT146N

2SC3837KT146N Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 20V 50mA 1.5GHz 200mW Surface Mount SMT3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	50 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	1.5 GHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2SC3837K
Continuous Collector Current	50 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	56
DC Current Gain hFE Max	56 at 10 mA, 10 V	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.6 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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