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Siehe Technische Spezifikationen

2SC5661T2LP +BOM

NPN Silicon Bipolar Transistor for RF Small Signal Applications, VMT3 Package, 0.05A IC, Very High Frequency Range

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

2SC5661T2LP
Datenblatt:

2SC5661T2LP Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SC5661T2LP

2SC5661T2LP Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 20V 50mA 1.5GHz 150mW Surface Mount VMT3

Hauptmerkmale

1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz)
2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps)
3) Small NF.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	50 mA	Pd - Power Dissipation	150 mW
Gain Bandwidth Product fT	1.5 GHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2SC5661
Continuous Collector Current	50 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	56
DC Current Gain hFE Max	180	Height	0.5 mm
Length	1.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	8000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	0.8 mm
Unit Weight	0.000917 oz	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V	Frequency - Transition	1.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	4.5dB @ 200MHz	Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	82 @ 10mA, 10V	Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2SC5661

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