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2SC2714-Y(TE85L,F) +BOM

RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount S-Mini

  • Hersteller:

    Toshiba

  • Herstellerteil #:

    2SC2714-Y(TE85L,F)

  • Datenblatt:

    2SC2714-Y(TE85L,F) Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Transistor Polarity:

    NPN

  • Configuration:

    Single

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

    30 V

2SC2714-Y(TE85L,F) Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount S-Mini

Toshiba Inventar
Toshiba Originalbestand

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V Collector- Base Voltage VCBO 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4 V Collector-Emitter Saturation Voltage -
Maximum DC Collector Current 20 mA Pd - Power Dissipation 100 mW
Gain Bandwidth Product fT 550 MHz Minimum Operating Temperature -
Maximum Operating Temperature + 125 C Series 2SC2714
Continuous Collector Current 20 mA DC Collector/Base Gain hfe Min 40
DC Current Gain hFE Max 200 Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Technology Si Unit Weight 0.000423 oz

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