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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SC2873 +BOM

2A 2V SOT-89-3 Transistors

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SC2873
Datenblatt:

2SC2873 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SC2873

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2SC2873 Allgemeine Beschreibung

Featuring a transition frequency (ft) of approximately 500 MHz, this transistor is well-suited for high-frequency applications where precision and stability are paramount. The TO-92 package type further enhances its usability, offering a compact size and easy mounting options for seamless integration into electronic circuits

Hauptmerkmale

High breakdown voltage of 40V
Low saturation voltage of 0.2V
Low noise figure
High DC current gain
Fast switching speed
Low capacitance
Good linearity
Designed for RF amplifier and oscillator applications
High power dissipation capability

Anwendung

High frequency use
Communication devices
Amplifier units

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Gain Bandwidth Product fT	120 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2SC	Continuous Collector Current	2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	70	DC Current Gain hFE Max	240
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors

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