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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SC3506 +BOM

Power Bipolar Transistor

Hersteller:

Panasonic Electronic Components
Herstellerteil #:

2SC3506
Datenblatt:

2SC3506 Datenblatt (PDF)
Packaging:

Bulk
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

800 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SC3506

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2SC3506 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 4MHz 3 W Through Hole TOP-3F-A1

Hauptmerkmale

High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

Spezifikationen

Packaging	Bulk	Part Status	Obsolete
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	800 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	50µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 2A, 5V
Power - Max	3 W	Frequency - Transition	4MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	2SC350

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