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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBR50VN120-50 +BOM

Advanced power conversion technology for industrial control systems

Hersteller:

Fuji Electric Co Ltd
Herstellerteil #:

7MBR50VN120-50
Datenblatt:

7MBR50VN120-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

35
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 7MBR50VN120-50

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

7MBR50VN120-50 Allgemeine Beschreibung

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, COMPACT PACKAGE-35

Hauptmerkmale

Included Rectifier and Brake Chopper
Square RBSOA
Low Saturation Voltage
Overcurrent Limiting Function ( ~ 3 Times Rated Current )

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	35
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	50 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	COMPLEX	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X22	Number of Elements	7
Number of Terminals	22	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	530 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	390 ns	VCEsat-Max	2.65 V

Servicerichtlinien und andere

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