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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

AOTF12N50 +BOM

This TO-220F package transistor has a 3-pin configuration with a tab for easy mounting

Hersteller:

Alpha And Omega Semiconductor
Herstellerteil #:

AOTF12N50
Datenblatt:

AOTF12N50 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Single
Channel Mode:

Enhancement
Channel Type:

N
EDA/CAD Modelle:

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AOTF12N50 Allgemeine Beschreibung

Furthermore, the AOTF12N50's TO-220 package ensures optimum thermal dissipation and facilitates easy installation on a heatsink. The MOSFET's low gate charge of 14nC significantly reduces drive requirements, contributing to enhanced system efficiency

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Category	Power MOSFET	Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement	Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1	Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30	Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4.5
Maximum Continuous Drain Current (A)	12	Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum IDSS (uA)	1	Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	520@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	30.7@10V	Typical Gate Charge @ 10V (nC)	30.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1361@25V	Maximum Power Dissipation (mW)	50000
Typical Fall Time (ns)	55.5	Typical Rise Time (ns)	69
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	82	Typical Turn-On Delay Time (ns)	29
Minimum Operating Temperature (°C)	-55	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube	Mounting	Through Hole
PCB changed	3	Tab	Tab
Pin Count	3	Lead Shape	Through Hole

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