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Siehe Technische Spezifikationen

BC846BW-7-F +BOM

Bipolar Transistor NPN SOT-323

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BC846BW-7-F
Datenblatt:

BC846BW-7-F Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC846BW-7-F

BC846BW-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Hauptmerkmale

Ideally Suited for Automatic Insertion
Complementary PNP Types: BC856W – BC858W
For Switching and AF Amplifier Applications
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP capable (Note 4)

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	42 Weeks
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	65 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	200
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	300 MHz
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V
Collector- Base Voltage VCBO	80 V	Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV	Maximum DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Gain Bandwidth Product fT	300 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	BC846	DC Collector/Base Gain hfe Min	200
Height	1 mm	Length	2.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.35 mm	Unit Weight	0.000176 oz

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