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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BC857CDW1T1G +BOM

Dual PNP Bipolar Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

BC857CDW1T1G
Datenblatt:

BC857CDW1T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419B-02
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

BC857CDW1T1G Allgemeine Beschreibung

The BC857CDW1T1G is a versatile Dual PNP Bipolar Transistor perfect for various amplifier applications. Encased in the compact SOT-363/SC-88 package, it is ideal for small-scale surface mount applications where space is limited

Hauptmerkmale

AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
Pb-Free Packages Available
NSV Prefix for Unique Site Requirements
Suffix Code for Specialized Applications
Mold Compound RoHS Compliant Materials Used
Automotive and Other Industries Supported

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419B-02
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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