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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BCX5616QTA +BOM

Mid-range power transistor for bipolar junction transistors

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BCX5616QTA
Datenblatt:

BCX5616QTA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCX5616QTA

BCX5616QTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-89-3

Hauptmerkmale

Precision engineered components
Durable construction and design
User-friendly interface and control panel
Compliance with international standards

Anwendung

Advanced home automation
Smart city solutions
Smart grid systems

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	1 W
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	100
DC Current Gain hFE Max	250	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.001834 oz

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